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Infineon Technologies IRF7341PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal 2.0W SO-8


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     4815E-V585133
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF7341PbF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Keine Beschreibung vorhanden
Weitere Informationen:
Kanäle:
2
R(DS)(on):
0.065 Ω
Typ:
IRF7341PBF-GURT
Montageart:
Oberflächenmontage
Ausführung:
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT):
2.0 W
Hersteller:
Infineon Technologies
Gehäuse:
SO-8
Produkt-Art:
MOSFET
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, Infineon Technologies, IRF7341PBF-GURT, FET, Feldeffekt-transistor
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