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Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal, P-Kanal 2.0W SO-8

Menge:

Stück

Produktinformationen:

Artikel-Nr.:
4815E-V585143

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IRF7343TRPBF

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Keine Beschreibung vorhanden

Weitere Informationen:


Kanäle:	2
R(DS)(on):	0.17 Ω
U:	55 V
Typ:	IRF7343PBF-GURT
Montageart:	Oberflächenmontage
I(d):	4.7 A
Ausführung:	N-Kanal + P-Kanal
Leistung (max) P(TOT):	2.0 W
Hersteller:	Infineon Technologies
Gehäuse:	SO-8
Produkt-Art:	MOSFET

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Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor, Infineon Technologies, IRF7343PBF-GURT, FET, Feldeffekt-transistor

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