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IGBT-Modul SEMITRANS 3 1.2 kV 2mA Halbbrücke NPN


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     5KQH2-17100313
Hersteller:
     Semikron
Herst.-Nr.:
     SKM200GB126D
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
IGBT Module
Thyristor
igbt module semikron
thyristor
Bezeichnung=IGBT-Modul, Typ=SKM200GB126D, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-40 °C, Emitter-Leckstrom=2 mA, Energieverteilung während Abschaltdauer=24 mJ, Energieverteilung während Herstellungsdauer=18 mJ, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.2 kV, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=2.1 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=260 A, Leistungsverteilung (PV)=-999, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Bauform=Modul, Kanaltyp=NPN, Konfiguration=Halbbrücke, Montageart=Verschraubung
Weitere Informationen:
Ursprungsland:
DE
Höhe:
34 mm
Nettogewicht:
308,200 g
Tiefe:
109 mm
Bruttogewicht:
308,2 g
Breite:
64 mm
MERCATEO_WA_NR:
8541290000
Weitere Suchbegriffe: IGBT-Modul
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