Bezeichnung=MOSFET-Modul, Typ=IXFN80N50P, Abfallzeit=18 ns, Anstiegzeit=27 ns, Ausschaltverzögerung=70 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=500 V, Einschaltverzögerung=25 ns, Gate-Source-Schleusenspannung=5 V, Gate-Source-Spannung=30 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=66 A, Leistungsverteilung (PV)=700 W, Reflow Löttemperatur max=-999, Widerstand EIN (Rds(On))=65 mΩ, Bauform=SOT-227B, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Röhre Weitere Informationen:  | | Ursprungsland: | US | Höhe: | 14 mm | Nettogewicht: | 35 g | Tiefe: | 38 mm | Bruttogewicht: | 35 g | Breite: | 28 mm | MERCATEO_WA_NR: | 8541100000 |
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