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| Artikel-Nr.:
822EL-1107155 Herst.-Nr.:
FS200R12KT4RBOSA1 EAN/GTIN:
5059043389288 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 280 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 1000 W
Gehäusegröße = EconoPACK 3
Montage-Typ = SMD
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 35
Transistor-Konfiguration = 3-phasig
Abmessungen = 122 x 62 x 17mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
IGBT-Module, Infineon. Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz. Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP ;sup>TM ;/sup>- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.. Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACK ;sup>TM ;/sup>2/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>3/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>4 Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 280 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 1000 W | Gehäusegröße: | EconoPACK 3 | Montage-Typ: | SMD | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 35 | Transistor-Konfiguration: | 3-phasig | Abmessungen: | 122 x 62 x 17mm | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, igbt infineon, smd transistor, 1107155, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FS200R12KT4RBOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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