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| Artikel-Nr.: 822EL-1241118 Herst.-Nr.: FERD30H100SB-TR EAN/GTIN: 5059042093407 |
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![](/p.gif) | Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Dauer-Durchlassstrom max. = 30A Spitzen-Sperrspannung periodisch = 100V Diodenkonfiguration = Einfach Gleichrichter-Typ = Universal Diode Typ = Rectifier Pinanzahl = 2 + Tab Maximaler Spannungsabfall = 745mV Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Diodentechnologie = Siliziumverbindung Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 150A
Feldeffektgleichrichter, STMicroelectronics. Die Dioden der Serie FERD von STMicroelectronics bieten einen einzigartigen Kompromiss zwischen geringem Spannungsabfall in Durchlassrichtung und geringem Leckstrom. Ein 30-A-Feldeffektgleichrichter weist im Vergleich zur herkömmlichen 30-A-Schottky-Diode eine um 25 % geringere Durchlassspannung auf, die ohne Erhöhung des Leckstroms erreicht wird. Dadurch können Entwickler den Anforderungen der strengsten Energieeffizienznormen einschließlich Energy Star 6.0 entsprechen, ohne synchrone Gleichrichtungsverfahren anwenden zu müssen. Typische Anwendungsbereiche sind Smartphone- und Tablet-Akkuladegeräte, kompakte Adapter und Schaltnetzteile. Stabiler Leckstrom über Sperrspannung Niedriger Spannungsabfall in Durchlassrichtung Ausgezeichnete Hochfrequenzfunktion Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Dauer-Durchlassstrom max.: | 30A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 100V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Universal | Diode Typ: | Rectifier | Pinanzahl: | 2 + Tab | Maximaler Spannungsabfall: | 745mV | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | Siliziumverbindung | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 150A |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: SMD-Diode, smd diode, 1241118, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, STMicroelectronics, FERD30H100SBTR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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