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| Artikel-Nr.: 822EL-1241721 Herst.-Nr.: FQD17P06TM EAN/GTIN: 5059042707717 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 12 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 135 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 2,5 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V Breite = 6.22mm Betriebstemperatur min. = –55 °Cmm
P-Kanal-MOSFET im Erweiterungsmodus on Semiconductor. Die P-Kanal-MOSFETs der Serie ON Semiconductors werden mit der proprietären DMOS-Technologie von ON Semi mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine robuste und zuverlässige Leistung für schnelles Schalten zu bieten. Eigenschaften und Vorteile:. Spannungsgesteuerter P-Kanal-Kleinsignalschalter Zelldesign mit hoher Dichte Hoher Sättigungsstrom Hervorragende Schaltleistung Große robuste und zuverlässige Leistung DMOS-Technologie. Anwendungen:. Lastschaltung DC/DC-Wandler Batterieschutz Stromüberwachungssteuerung Gleichstrommotor-Steuerung Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 12 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 135 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Breite: | 6.22mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °Cmm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1241721, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FQD17P06TM, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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