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| Artikel-Nr.:
822EL-1249965 Herst.-Nr.:
BYW51-200G EAN/GTIN:
5059042093964 |
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| Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-220AB
Dauer-Durchlassstrom max. = 16A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 200V
Diodenkonfiguration = Gemeinsame Kathode
Gleichrichter-Typ = Universal
Diode Typ = Ultraschneller Gleichrichter
Pinanzahl = 3
Maximaler Spannungsabfall = 970mV
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Diodentechnologie = Siliziumverbindung
Spitzen-Sperrspannung Erholzeit = 35ns
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 100A
Produkte mit Teilenummern mit dem Präfix NSV- oder S- sind gemäß AEC-Q101 für die Kraftfahrttechnik geeignet. Gleichrichterdioden, 10 A bis 30 A, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | TO-220AB | Dauer-Durchlassstrom max.: | 16A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 200V | Diodenkonfiguration: | Gemeinsame Kathode | Gleichrichter-Typ: | Universal | Diode Typ: | Ultraschneller Gleichrichter | Pinanzahl: | 3 | Maximaler Spannungsabfall: | 970mV | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Diodentechnologie: | Siliziumverbindung | Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: | 35ns | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 100A |
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| Weitere Suchbegriffe: 1249965, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, onsemi, BYW51200G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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