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| Artikel-Nr.: 822EL-1339945 Herst.-Nr.: IDH20G120C5XKSA1 EAN/GTIN: 5059043597331 |
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![](/p.gif) | Montage-Typ = THT Gehäusegröße = TO-220 Dauer-Durchlassstrom max. = 56A Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1200V Diodenkonfiguration = Einfach Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode Diode Typ = SiC-Schottky Pinanzahl = 2 + Tab Maximaler Spannungsabfall = 2.6V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Diodentechnologie = SiC-Schottky Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 198A
thinQ! Schottky-Diode aus Siliziumkarbid (SiC), Infineon. Die thinQ!™-Generation 5 von Infineon bietet eine neuartige Dünnwafer-Technologie für SiC-Schottky-Barrierendioden mit verbesserten thermischen Eigenschaften. Die SiC-Schottky-Dioden bieten vorteilhafte Funktionen für Hochspannungshalbleiter, etwa eine höhere Durchbruchfeldstärke sowie verbesserte thermische Leitfähigkeit mit höherer Effizienz. Diese neueste Generation eignet sich für den Einsatz in Telekommunikations-SMPS und High-End-Servern, USV-Systemen, Motorantrieben, Solarwechselrichtern sowie PC-Silverbox- und Beleuchtungsanwendungen. Verminderte elektromagnetische Störungen Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | TO-220 | Dauer-Durchlassstrom max.: | 56A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 1200V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | SiC-Schottky | Pinanzahl: | 2 + Tab | Maximaler Spannungsabfall: | 2.6V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | SiC-Schottky | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 198A |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: diode to-220, 1339945, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, Infineon, IDH20G120C5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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