onsemi QFET FQA8N100C N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8 A 225 W, 3-Pin TO-3PN

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Serie = QFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,45 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 225 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 5mm
Höhe = 18.9mm

N-Kanal-MOSFET QFET®, 6 A bis 10,9 A, Fairchild Semiconductor. Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung. Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.