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| Artikel-Nr.:
822EL-1486908 Herst.-Nr.:
RE1L002SNTL EAN/GTIN:
5059043653891 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 250 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SC-75
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 12 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 150 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 250 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SC-75 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 12 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 150 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, rohm mosfet, smd transistor, 1486908, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, RE1L002SNTL, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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