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| Artikel-Nr.:
822EL-1527744 Herst.-Nr.:
BUK7M12-60EX EAN/GTIN:
5059043210216 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 53 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = LFPAK33
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 27 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 75 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °Cmm
Höhe = 0.9mm
N-Kanal-MOSFET mit Standardpegel, 60 V, 12 mΩ, in LFPAK33, N-Kanal MOSFET mit Standardpegel in einem LFPAK33 (Power33) Gehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde entwickelt und qualifiziert gemäß dem AEC Q101-Standard für den Einsatz in Hochleistungs-Kfz-Anwendungen.Q101-konform Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund der Auslegung für 175 °C: Gate mit echtem Standardpegel mit einem VGS(th)-Nennwert von über 1 V bei 175 °C 12-V-Kfz-Systeme Motoren, Leuchten und Magnetschaltersteuerung Getriebesteuerung Schalten von extrem hohen Leistungen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 53 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | LFPAK33 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 27 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 75 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °Cmm | Höhe: | 0.9mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, 1527744, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, BUK7M1260EX, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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