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| Artikel-Nr.: 822EL-1637344 Herst.-Nr.: FERD20S100SB-TR EAN/GTIN: 5059042163223 |
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![](/p.gif) | Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Dauer-Durchlassstrom max. = 20A Spitzen-Sperrspannung periodisch = 100V Diodenkonfiguration = Einfach Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode Diode Typ = Rectifier Pinanzahl = 2 + Tab Maximaler Spannungsabfall = 760mV Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Diodentechnologie = Siliziumverbindung Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 150A
Die FERD-Diodenserie von ST erleichtern die Entwicklung von effizienten, zuverlässigen Smartphone- und Tablet-Akkuladegeräten mit hoher Leistungsdichte, kompakten Adaptern und Schaltnetzteilen. Sie sind in einfachen und zweifachen Konfigurationen von 15 A bis 60 A und mit Nennwerten von 45 V, 50 V sowie 60 V erhältlich und bieten einen einzigartigen Kompromiss zwischen geringem Spannungsabfall in Durchlassrichtung (VF) und geringem Leckstrom (IR). Dadurch können Entwickler den Anforderungen der strengsten Energieeffizienznormen einschließlich Energy Star 6.0 entsprechen, ohne synchrone Gleichrichtungsverfahren anwenden zu müssen.ST-erweitertes GleichrichterverfahrenStabiler Leckstrom über SperrspannungReduzierter LeckstromNiedriger Spannungsabfall in DurchlassrichtungHochfrequenzfunktion Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Dauer-Durchlassstrom max.: | 20A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 100V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | Rectifier | Pinanzahl: | 2 + Tab | Maximaler Spannungsabfall: | 760mV | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | Siliziumverbindung | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 150A |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: SMD-Diode, Schottky Diode, st microelectronics schottky diode, smd diode, d-pak diode, 1637344, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, STMicroelectronics, FERD20S100SBTR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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