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STMicroelectronics MDmesh M2 STD13N65M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)


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STMicroelectronics MDmesh M2 STD13N65M2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Artikel-Nr.:
     822EL-1655377
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STD13N65M2
EAN/GTIN:
     5059042384543
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = MDmesh M2
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 430 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Breite = 6.2mm
Höhe = 2.4mm

N-Kanal MDmesh™ M2-Serie, STMicroelectronics. Eine Serie von Hochspannungsleistungs-MOSFETs von STMicroelecronics. Mit ihrer geringen Gate-Ladung und der ausgezeichneten Ausgangskapazität eignet sich die Serie MDmesh M2 perfekt für den Einsatz in Resonanzschaltnetzgeräten (LLC-Wandler).
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
10 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Serie:
MDmesh M2
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
430 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
110 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–25 V, +25 V
Breite:
6.2mm
Höhe:
2.4mm
Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 1655377, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD13N65M2, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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