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STMicroelectronics STripFET STD10P6F6 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 10 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252)


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STMicroelectronics STripFET STD10P6F6 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 10 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Artikel-Nr.:
     822EL-1658005
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STD10P6F6
EAN/GTIN:
     5059042884678
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 160 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 30 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 7.45mm
Höhe = 2.38mm

P-Kanal-STripFET™-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
10 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
160 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
30 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Breite:
7.45mm
Höhe:
2.38mm
Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 1658005, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD10P6F6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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