Infineon BFP720H6327XTSA1 SMD, NPN HF-Transistor 13 V / 25 mA, SOT-343 4-Pin

Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 25 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 13 V
Gehäusegröße = SOT-343
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 100 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 13 V
Basis-Emitter Spannung max. = 1,2 V
Pinanzahl = 4
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 2 x 1.25 x 0.9mm

Bipolare HF-Transistoren SiGe, Infineon. Eine Serie von ultra-rauscharmen bipolaren Breitband-HF-Transistoren, NPN, von Infineon. Diese bipolaren Geräte mit Hetero-Junction verwenden die SiGe:C-Technologie aus Silizium-Germanium von Infineon und sind besonders geeignet für den Einsatz in mobilen Anwendungen, in denen eine niedrige Leistungsaufnahme eine Grundvoraussetzung ist. Mit typischen Übergangsfrequenzen von bis zu 65 GHz bieten diese Geräte eine hohe Leistungsverstärkung bei Frequenzen von bis zu 10 GHz, wenn sie in Verstärkern eingesetzt werden. Die Transistoren enthalten interne Schaltungen für ESD- und Schutz vor übermäßiger HF-Eingangsspannung.