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| Artikel-Nr.: 822EL-1658362 Herst.-Nr.: DMN10H220L-7 EAN/GTIN: 5059043193557 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 1,6 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 250 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 1,3 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V Breite = 1.4mm Höhe = 1mm
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 250 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 1,3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +16 V | Breite: | 1.4mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor, mosfet sot-23, 1658362, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN10H220L7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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