Nexperia PBSS5320T,215 SMD, PNP Transistor –20 V / –2 A 100 MHz, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –2 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –20 V
Gehäusegröße = SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 1,2 W
Gleichstromverstärkung min. = 220
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 20 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 1 x 3 x 1.4mm

PNP-Transistoren mit niedriger Sättigung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-PNP-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen.