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| Artikel-Nr.:
822EL-1661822 Herst.-Nr.:
FDC5612 EAN/GTIN:
5059042265972 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = PowerTrench
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 64 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 1,6 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 1mm
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | PowerTrench | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 64 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 1,6 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 1661822, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDC5612, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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