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| Artikel-Nr.:
822EL-1661841 Herst.-Nr.:
2N7002DW EAN/GTIN:
5059042239690 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 115 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 13,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 200 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2mm
Betriebstemperatur min. = –55 °Cmm
Zweifach-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser enorme Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 115 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 13,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 200 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °Cmm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1661841, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, 2N7002DW, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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