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| Artikel-Nr.: 822EL-1684493 Herst.-Nr.: IXFR44N80P EAN/GTIN: 5059041363181 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 25 A Drain-Source-Spannung max. = 800 V Serie = HiperFET, Polar Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 200 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5V Verlustleistung max. = 300 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Breite = 5.21mm Höhe = 21.34mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 25 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Serie: | HiperFET, Polar | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 200 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 300 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 5.21mm | Höhe: | 21.34mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: ixys mosfet, mosfet, 1684493, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFR44N80P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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