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| Artikel-Nr.:
822EL-1684583 Herst.-Nr.:
IXTH110N25T EAN/GTIN:
5059041333245 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 110 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Serie = Trench
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 24 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 694 W
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 5.3mm
Höhe = 21.46mm
N-Kanal Trench-Gate Leistungs-MOSFET, IXYS. Trench-Gate MOSFET-Technologie Niedriger Durchlasswiderstand RDS(ein) Überlegene Stoßentladungsbeständigkeit Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 110 A | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Serie: | Trench | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 24 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 694 W | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 5.3mm | Höhe: | 21.46mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1684583, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXTH110N25T, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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