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| Artikel-Nr.:
822EL-1684886 Herst.-Nr.:
C3M0065100K EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 35 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Serie = C3M
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 90 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.8V
Verlustleistung max. = 113,5 W
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +19 V
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Höhe = 23.6mm
Leistungs-MOSFET aus Siliziumkarbid der C3M-Serie von Cree Inc. MOSFET mit neuer C3M-Siliziumkarbid-Technologie (SiC) Mindestens 1000 V Drain-Source-Durchschlagsspannung im gesamten Betriebstemperaturbereich Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle Kriechstrecke/Abstand zwischen Drain und Source: 8 mm Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität Hohe Blockierspannung bei niedrigem Drain-Source-Durchlasswiderstand Widerstandsfähigkeit gegen Stoßentladungen Schnelle intrinsische Diode mit geringer Sperrverzögerung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 35 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1000 V | Serie: | C3M | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 90 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.8V | Verlustleistung max.: | 113,5 W | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +19 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °Cmm | Höhe: | 23.6mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1684886, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Wolfspeed, C3M0065100K, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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