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| Artikel-Nr.: 822EL-1685910 Herst.-Nr.: IPD60R1K0CEAUMA1 EAN/GTIN: 5059043385969 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6,8 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V Verlustleistung max. = 61 W Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Breite = 6.22mm Höhe = 2.41mm
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 6,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 61 W | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 6.22mm | Höhe: | 2.41mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1685910, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD60R1K0CEAUMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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