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| Artikel-Nr.:
822EL-1685913 Herst.-Nr.:
IPD60R800CEAUMA1 EAN/GTIN:
5059043385976 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 800 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 74 W
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 6.22mm
Höhe = 2.41mm
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 800 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 74 W | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 6.22mm | Höhe: | 2.41mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1685913, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD60R800CEAUMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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