| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 822EL-1685922 Herst.-Nr.: IPN50R1K4CEATMA1 EAN/GTIN: 5059043382951 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 4,8 A Drain-Source-Spannung max. = 550 V Serie = CoolMOS™ CE Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1,4 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V Verlustleistung max. = 5 W Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm Betriebstemperatur min. = –40 °CV
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE von Infineon Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 550 V | Serie: | CoolMOS™ CE | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,4 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 5 W | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °Cmm | Betriebstemperatur min.: | –40 °CV |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 1685922, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPN50R1K4CEATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |