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STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max., 600 V 58 W, 3-Pin TO-3PF


Menge:  Packung  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     822EL-1687090
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STGFW30V60DF
EAN/GTIN:
     5059042328851
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 58 W
Gehäusegröße = TO-3PF
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.7 x 5.7 x 26.7mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C

IGBT, diskret, STMicroelectronics
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
60 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
58 W
Gehäusegröße:
TO-3PF
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Schaltgeschwindigkeit:
1MHz
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
15.7 x 5.7 x 26.7mm
Betriebstemperatur min.:
–55 °C
Weitere Suchbegriffe: 1687090, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGFW30V60DF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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