|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-1687764 Herst.-Nr.:
GT20J341 EAN/GTIN:
5059041371827 |
| |
|
| | |
| Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±25V
Verlustleistung max. = 45 W
Gehäusegröße = TO-220SIS
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 100kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10 x 4.5 x 15mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C
IGBTs, diskret, Toshiba Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 20 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±25V | Verlustleistung max.: | 45 W | Gehäusegröße: | TO-220SIS | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 100kHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 10 x 4.5 x 15mm | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: igbt, 1687764, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, GT20J341, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
| | |
| |