| |
|
| Artikel-Nr.: 822EL-1687770 Herst.-Nr.: TK100E10N1 EAN/GTIN: 5059041198097 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 207 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = TK Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 3,4 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Verlustleistung max. = 255 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 4.45mm Höhe = 15.1mm
MOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 207 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Serie: | TK | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,4 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 255 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.45mm | Höhe: | 15.1mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1687770, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK100E10N1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |