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| Artikel-Nr.:
822EL-1687774 Herst.-Nr.:
TK35E08N1 EAN/GTIN:
5059041371681 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 55 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Serie = TK
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 12,2 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 72 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.45mm
Höhe = 15.1mm
MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 55 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Serie: | TK | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 12,2 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 72 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.45mm | Höhe: | 15.1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1687774, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK35E08N1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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