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| Artikel-Nr.:
822EL-1688811 Herst.-Nr.:
STPSC4H065DI EAN/GTIN:
5059042354591 |
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| Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-220AC
Dauer-Durchlassstrom max. = 22A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 650V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = SiC-Schottky
Pinanzahl = 2
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = SiC-Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 200A
Schottky-Diode basierend auf Siliziumkarbid (SIC), STMicroelectronics. Eine SiC-Diode (Siliziumkarbid-Diode) ist eine äußerst leistungsstarke Schottky-Diode. Keine oder eine vernachlässigbare Sperrverzögerung Schaltverhalten temperaturunabhängig Speziell für PFC-Anwendungen Hohe Durchlass-Stoßspannungsfestigkeit Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | THT | Gehäusegröße: | TO-220AC | Dauer-Durchlassstrom max.: | 22A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 650V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | SiC-Schottky | Pinanzahl: | 2 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | SiC-Schottky | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 200A |
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| Weitere Suchbegriffe: 1688811, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, STMicroelectronics, STPSC4H065DI, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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