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| Artikel-Nr.:
822EL-1689396 Herst.-Nr.:
PHP20N06T,127 EAN/GTIN:
5059043404585 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 75 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 62 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.7mm
Höhe = 9.4mm
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 55 V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 75 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 62 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4.7mm | Höhe: | 9.4mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-220ab, 1689396, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PHP20N06T,127, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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