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| Artikel-Nr.:
822EL-1695793 Herst.-Nr.:
SUD50P04-08-GE3 EAN/GTIN:
5059040718081 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 10 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 73,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 106 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 10 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 73,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 106 nC @ 10 Vmm | Betriebstemperatur min.: | –55 °CV |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1695793, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SUD50P0408GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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