Infineon BFP840FESDH6327XTSA1 SMD, NPN HF-Transistor 2,25 V / 35 mA 85 GHz, TSFP 4-Pin

Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 35 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 2,25 V
Gehäusegröße = TSFP
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 75 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 2,9 V
Arbeitsfrequenz max. = 85 GHz
Pinanzahl = 4
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 1.4 x 0.8 x 0.55mm

Der BFP840FESD ist ein leistungsstarker HBT (Heterojunction Bipolar Transistor, Bipolartransistor mit Heteroübergang), speziell für 5–6 GHz-Wi-Fi-Anwendungen. Das Gerät basiert auf der zuverlässigen, hochvolumigen SiGe:C-Technologie von Infineon. Der BFP840FESD bietet von Natur aus gute Eingangs- und Ausgangsleistungsanpassung sowie gute Rauschanpassung bei 5–6 GHz. Die gleichzeitige Rausch- und Leistungsanpassung ohne verlustbehaftete extern angepasste Komponenten am Eingang führt zu einer geringen Anzahl an externen Bauteilen, zu einem sehr guten Rauschpegel und zu einer sehr hohen Wandlerverstärkung der WiFi-Anwendung. Integrierte Schutzelemente an Ein- und Ausgang machen das Gerät widerstandsfähig gegen ESD- und übermäßige HF-Eingangsspannung. Das Gerät bietet eine hohe Leistung bei niedriger Stromstärke und Spannung und ist besonders gut geeignet für tragbare batteriebetriebene Anwendungen, in denen Energieeffizienz eine Grundvoraussetzung ist. Das Gerät wird in einem einfach zu verwendenden dünnen und flachen Gehäuse mit sichtbaren Kabeln geliefertRobuster rauscharmer Hochleistungs-Verstärker basierend auf der zuverlässigen, großvolumigen SiGe:C-Wafer-Technologie von Infineon.2 kV ESD-Festigkeit (HBM) durch integrierte SchutzschaltungenHohe maximale HF-Eingangsspannung von 21 dBm0,6 dB minimale Rauschentwicklung26 dB maximale Verstärkung23,5 dBm OIP3 (typisch) bei 5,5 GHz, 25 mAPräzises SPICE GP-Modell erhältlich, um ein effektives Design im Prozess zu ermöglichen