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Infineon SPA20N60C3 SPA20N60C3XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20,7 A 34,5 W, 3-Pin TO-220 FP
Menge:
Stück
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
822EL-1702267
Hersteller:
Infineon
Herst.-Nr.:
SPA20N60C3XKSA1
EAN/GTIN:
5059043770611
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220 FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 34,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = SPA20N60C3
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
20,7 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Gehäusegröße:
TO-220 FP
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
190 mO
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
3.9V
Gate-Schwellenspannung min.:
2.1V
Verlustleistung max.:
34,5 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
30 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Serie:
SPA20N60C3
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Halbleiter
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Diskrete Halbleiter
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Mosfet
Weitere Suchbegriffe:
leistungs-mosfet
,
mosfet 20a
,
1702267
,
Halbleiter
,
Diskrete Halbleiter
,
Infineon
,
SPA20N60C3XKSA1
,
Semiconductors
,
Discrete Semiconductors
,
MOSFETs
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