Infineon IGBT / 41 A ±20V max. , 600 V 166 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal

Dauer-Kollektorstrom max. = 41 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 166 W
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10.36 x 4.57 x 15.95mm
Betriebstemperatur min. = –40 °CmJ

Infineon IGBTDer Infineon IGBT ist ein 3-poliger N-Kanal TO-220-Transistor für Durchgangsbohrungen. Er hat einen Nennstrom von 41 A und eine Nennspannung von 600 V, 3. Generation, verpolungssicherer IGBT, optimiert für geringere Schalt- und Leitungsverluste. Sein weiches Schaltverhalten ermöglicht eine bessere Leistung und ein besseres EMI-Verhalten. Mit Hilfe dieses Transistors kann eine ausgezeichnete Leistung bei niedrigeren Kosten erreicht werden.Eigenschaften und Vorteile• Kosteneffizient • Hohe Effizienz • Geringe EMI-Emissionen • Geringe Schaltverluste • niedrigster V ce (sat)-Abfall für geringere Leitungsverluste • Die maximale Verlustleistung beträgt 166 W • Betriebstemperaturbereiche zwischen -40 °C und 175 °C. • Reduzierte Verlustleistung • Überspannungsfestigkeit • Sehr weiche, schnell wiederherstellende, antiparallele Emitter-gesteuerte DiodeAnwendungen• Haushaltsgeräte • Induktionskochöfen • Industrielle Antriebe • Mikrowellenherde • Reiskocher • UPS • SchweißgeräteZertifizierungen• ANSI/ESD S20.20:2014 • BS EN 61340-5-1:2007