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| Artikel-Nr.: 822EL-1702371 Herst.-Nr.: IKP20N60TXKSA1 EAN/GTIN: 5059043190709 |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 41 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 166 W Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Abmessungen = 10.36 x 4.57 x 15.95mm Betriebstemperatur min. = –40 °CmJ
Infineon IGBTDer Infineon IGBT ist ein 3-poliger N-Kanal TO-220-Transistor für Durchgangsbohrungen. Er hat einen Nennstrom von 41 A und eine Nennspannung von 600 V, 3. Generation, verpolungssicherer IGBT, optimiert für geringere Schalt- und Leitungsverluste. Sein weiches Schaltverhalten ermöglicht eine bessere Leistung und ein besseres EMI-Verhalten. Mit Hilfe dieses Transistors kann eine ausgezeichnete Leistung bei niedrigeren Kosten erreicht werden.Eigenschaften und Vorteile• Kosteneffizient • Hohe Effizienz • Geringe EMI-Emissionen • Geringe Schaltverluste • niedrigster V ce (sat)-Abfall für geringere Leitungsverluste • Die maximale Verlustleistung beträgt 166 W • Betriebstemperaturbereiche zwischen -40 °C und 175 °C. • Reduzierte Verlustleistung • Überspannungsfestigkeit • Sehr weiche, schnell wiederherstellende, antiparallele Emitter-gesteuerte DiodeAnwendungen• Haushaltsgeräte • Induktionskochöfen • Industrielle Antriebe • Mikrowellenherde • Reiskocher • UPS • SchweißgeräteZertifizierungen• ANSI/ESD S20.20:2014 • BS EN 61340-5-1:2007 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 41 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 166 W | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 10.36 x 4.57 x 15.95mm | Betriebstemperatur min.: | –40 °CmJ |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-220, 1702371, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKP20N60TXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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