Nexperia BC859C,215 SMD, PNP Transistor –30 V / -100 mA, TO-236 3-Pin

Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = –30 V
Gehäusegröße = TO-236
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 250 mW
Gleichstromverstärkung min. = 420
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = –30 V
Basis-Emitter Spannung max. = –5 V
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 3 x 1.4 x 1mm

Minimieren von Rauschen in Audio- und Erfassungssystemen. Rauschen stellt einen kritischen Faktor in vielen Anwendungen dar, insbesondere Anwendungen mit Audio- oder Erfassungsprozessen. Mit unseren rauscharmen Geräten halten Sie Transistorrauschen in Ihrem Design auf einem Minimum.NF von max. 4 dBIC von 100 mAKleine GehäuseVCEO von 30 V und 45 V (PNP und NPN)AnwendungsbereicheAudio- und SensorverstärkungPNP-Transistor in einem SOT323-Kunststoffgehäuse. NPN ergänzt: BC846W, BC847W und BC848W.Niedriger Stromverbrauch (max. 100 mA)Niedrige Spannung (max. 65 V).ZielanwendungsbereicheFür allgemeine Schalt- und Verstärkungsanwendungen.