onsemi NTHL082N65S3F N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 40 A 313 W, 3-Pin TO-247

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 40 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 82 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 313 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 4.82mm
Höhe = 20.82mm

SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet. Die optimierte Rückgewinnungsleistung der Körperdiode von SuperFET III FRFET® MOSFET kann zusätzliche Komponenten entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern.700 V bei TJ = 150 °CHöhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger TemperaturUltraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 81 nC)Geringere SchaltverlusteNiedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 722 pF)Geringere SchaltverlusteAusgezeichnetes Gehäuse und Leistung der Diode (niedriger Qrr, Diode mit robustem Gehäuse)Höhere Systemzuverlässigkeit in LLC und Phasenverschiebung in BrückenschaltungOptimierte KapazitätGeringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-OszillationTyp. RDS(on) = 70 mΩAnwendungsbereichTelekommunikationCloud-SystemIndustrieausführungStromversorgung TelekommunikationStromversorgung ServerEV-LadegerätSolar/UPS