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onsemi NVMFS6H800NT1G N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 203 A 200 W, 5-Pin DFN

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
822EL-1784307

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
NVMFS6H800NT1G

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 203 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = DFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 2,1 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 200 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 6.1mm
Höhe = 1.05mm

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	203 A
Drain-Source-Spannung max.:	80 V
Gehäusegröße:	DFN
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	5
Drain-Source-Widerstand max.:	2,1 mO
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	4V
Gate-Schwellenspannung min.:	2V
Verlustleistung max.:	200 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	±20 V
Breite:	6.1mm
Höhe:	1.05mm

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Weitere Suchbegriffe: 1784307, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVMFS6H800NT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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