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| Artikel-Nr.:
822EL-1784435 Herst.-Nr.:
NVMFS6H800NT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 203 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = DFN
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 5
Drain-Source-Widerstand max. = 2,1 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 200 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±20 V
Breite = 6.1mm
Höhe = 1.05mm
Automobil-Leistungs-MOSFET in einem 5-x-6-mm-Gehäuse für Flachkabel mit kompaktem und effizientem Design und einschließlich hoher Wärmeleistung. Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion. Für Automobilanwendungen geeignet.Merkmale Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) Niedriger RDS (EIN) Niedrige QG und Kapazität NVMFS6H800NWF – Option mit benetzbaren Flanken PPAP-fähig Vorteile Kompaktes Design Minimiert Leitungsverluste Minimiert Treiberverluste Verbesserte optische Inspektion Anwendungen Schaltnetzteile Stromversorgung (Hochspannungstreiber, Niederspannungstreiber, H-Brücken usw.) 48-V-Systeme Endprodukte Motorsteuerung Lastschalter DC/DC-Konverter Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 203 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | DFN | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 5 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,1 mO | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 200 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 6.1mm | Höhe: | 1.05mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1784435, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVMFS6H800NT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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