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| Artikel-Nr.:
822EL-1807267 Herst.-Nr.:
SI2300DS-T1-GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,068 O
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | TrenchFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,068 O | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 1807267, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI2300DST1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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