|  |
| |
| Artikel-Nr.:
822EL-1827197 Herst.-Nr.:
DMN2450UFD-7 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 900 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = X1-DFN1212
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.45V
Verlustleistung max. = 890 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±12 V
Breite = 1.25mm
Höhe = 0.48mm
Dieses MOSFET wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, max. 1,0 V Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeit ESD-geschütztes Gate Vollständig bleifrei halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät Anwendungen Stromüberwachungsfunktionen Batteriebetriebene Systeme und Halbleiterrelais Lastschalter Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 900 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | X1-DFN1212 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,6 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.45V | Verlustleistung max.: | 890 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±12 V | Breite: | 1.25mm | Höhe: | 0.48mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1827197, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN2450UFD7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |