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| Artikel-Nr.:
822EL-1840971 Herst.-Nr.:
MJF45H11G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -10 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –80 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 36 W
Gleichstromverstärkung min. = 60
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 20 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 10.63 x 4.9 x 16.12mm
Der bipolare Leistungstransistor wurde für die allgemeine Leistungsverstärkung und das Schalten wie Ausgangs- oder Treiberstufen in Anwendungen wie Schaltreglern, Wandlern und Leistungsverstärkern entwickelt.Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung --VCE(sat) = 1,0 V (max.) @ 8,0 A Hohe Schaltgeschwindigkeiten Komplementäre Paare vereinfachen Designs Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -10 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –80 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 36 W | Gleichstromverstärkung min.: | 60 | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 20 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 10.63 x 4.9 x 16.12mm |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, onsemi transistor, 1840971, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJF45H11G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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