onsemi THT Fototransistor IR 10μs → 940nm, 4-Pin Custom 4L

Erkennbare Spektren = IR
Fallzeit typ. = 50µs
Regelanstiegszeit = 10µs
Anzahl der Kanäle = 1
Dunkelstrom max. = 100nA
Anzahl der Pins = 4
Montage Typ = Durchsteckmontage
Gehäusetyp = Custom 4L
Abmessungen = 4.39 x 6.1 x 4.65mm
Kollektorstrom = 0.3 (Minimum)mA
Wellenlänge max. = 940nm
Emitter-Kollektor-Spannung = 5V

Der Reflexions-Sensor QRD1113/14 besteht aus einer Infrarot-Emitterdiode und einem NPN-Silizium-Foto-Darlington, das nebeneinander in einem schwarzen Kunststoffgehäuse montiert ist. Die On-Axis-Strahlung des Emitters und das On-Axis-Ansprechen des Detektors sind beide senkrecht zur Stirnseite des QRD1113/14. Das Foto Darlington reagiert nur dann auf die von der Diode abgegebene Strahlung, wenn sich ein reflektierendes Objekt oder eine reflektierende Oberfläche im Sichtfeld des Detektors befindet.Fototransistorausgang Kontaktfreie Oberflächenerfassung Unfokussiert zur Erfassung diffuser Oberflächen Kompaktes Gehäuse Tageslichtfilter am Sensor Anwendungen: Medizinische Elektronik/Geräte Automation Prüfung und Messung Gebäude- und Heimsteuerung