onsemi Zenerdiode Gemeinsame Anode 2 Element/Chip SMD 33V / 40 W max, SOT-23 3-Pin

Diodenkonfiguration = Gemeinsame AnodeV
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Verlustleistung max. = 40 W
Gehäusegröße = SOT-23
Zenertyp = Bidirektional
Toleranz Zener-Spannung = 5%
Pinanzahl = 3
Prüfstrom = 1mA
Rest-Sperrstrom max. = 50nA
Abmessungen = 3.04 x 1.4 x 1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV

Das SOT-23-Gehäuse ermöglicht entweder zwei separate unidirektionale Konfigurationen oder eine einfache bidirektionale Konfiguration Peak Reverse Spannungsbereich - 3 V bis 26 V Standard-Zenerdurchschlagsspannungsbereich: 5,6 V bis 33 V. Peak Power - 24 oder 40 Watts @ 1,0 ms (unidirektional) ESD-Schutzart der Klasse N (über 16 kV) gemäß dem Modell des menschlichen Körpers Maximale Klemmspannung bei Peak Pulse Current Niedriger Leckstrom< 5,0 μA Mechanische Eigenschaften: Gehäuse: Vakuumfreies, umspritztes, thermoplastisches Kunststoffgehäuse Oberfläche: Korrosionsbeständige Oberfläche, leicht lötbar Maximale CASE-TEMPERATUR FÜR LÖSCHZWECKE: 260 °C für 10 Sekunden Gehäuse für optimale automatisierte Platinenmontage Kleine Gehäusegröße für Anwendungen mit hoher Dichte Erhältlich in 8-mm-Band und Rolle Bleifreie Gehäuse sind verfügbar