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| Artikel-Nr.:
822EL-1841178 Herst.-Nr.:
NSS60601MZ4T1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 6 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V
Gehäusegröße = SOT-223 (SC-73)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 800 mW
Gleichstromverstärkung min. = 120
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Arbeitsfrequenz max. = 1 MHz
Pinanzahl = 3 + Tab
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 6.7 x 3.7 x 1.65mm
Die Kombination aus niedriger Sättigungsspannung und hoher Verstärkung macht diesen bipolaren Transistor zu einem idealen Gerät für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen, bei denen die Energieeinsparung ein Problem ist.Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Hohe Gleichstromverstärkung Produkt mit hoher Stromverstärkung und Bandbreite Überlegene Verstärkungslinearität Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei Minimierte Verlustleistung Sehr niedrige Stromanforderungen Ideal für Hochfrequenz-Designs Minimale Verzerrung Anwendungen: Lineare Spannungsregelung Stromüberwachung für tragbare Geräte Schaltregler Induktiver Lasttreiber (z. B. Motoren, Lüfter, Relais) Lineare Steuerungen Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 6 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-223 (SC-73) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 800 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 120 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 100 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Arbeitsfrequenz max.: | 1 MHz | Pinanzahl: | 3 + Tab | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 6.7 x 3.7 x 1.65mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, transistor npn sot-223, smd transistor, smd-transistor npn, 1841178, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, NSS60601MZ4T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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