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| Artikel-Nr.: 822EL-1841316 Herst.-Nr.: MMBD1201 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Diodenkonfiguration = Einfach Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Sperrspannung max. = 100V Gehäusegröße = SOT-23 Pinanzahl = 3 Diodenkapazität max. = 2pF Betriebstemperatur max. = +150 °C Länge = 2.92mm Breite = 1.3mm Höhe = 0.93mm Abmessungen = 2.92 x 1.3 x 0.93mm Verlustleistung = 350mW
Bezogen von Prozess 1P. Anwendung Dieses Produkt ist für die allgemeine Verwendung und für viele verschiedene Anwendungen geeignet. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Diodenkonfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Sperrspannung max.: | 100V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Pinanzahl: | 3 | Diodenkapazität max.: | 2pF | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Länge: | 2.92mm | Breite: | 1.3mm | Höhe: | 0.93mm | Abmessungen: | 2.92 x 1.3 x 0.93mm | Verlustleistung: | 350mW |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 1841316, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schaltdioden, onsemi, MMBD1201, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Switching Diodes |
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