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| Artikel-Nr.:
822EL-1841552 Herst.-Nr.:
MMBT5087LT1G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -50 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = –50 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 300 mW
Gleichstromverstärkung min. = 250
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = –50 V
Basis-Emitter Spannung max. = –3 V
Arbeitsfrequenz max. = 20 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Dieser bipolare PNP-Transistor wurde für Mehrzweck-Verstärkeranwendungen mit hoher Verstärkung und geringem Rauschen entwickelt. Das Gerät befindet sich im SOT-23-Gehäuse, das für SMD-Anwendungen mit geringerer Leistung entwickelt wurde.Niedriger rDS(on) sorgt für höhere Effizienz und verlängert die Batterielebensdauer Miniatur-SOT-23-SMD-Gehäuse spart Platinenplatz Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -50 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | –50 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 300 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 250 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | –50 V | Basis-Emitter Spannung max.: | –3 V | Arbeitsfrequenz max.: | 20 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 1841552, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MMBT5087LT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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