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| Artikel-Nr.: 822EL-1844173 Herst.-Nr.: BAV99RWT1G EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Diodenkonfiguration = SeriemA Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Sperrspannung max. = 100V Gehäusegröße = SC-70 Pinanzahl = 3 Diodenkapazität max. = 1.5pF Betriebstemperatur min. = –65 °C Betriebstemperatur max. = +150 °C Länge = 2.2mm Breite = 1.35mm Höhe = 1mm Abmessungen = 2.2 x 1.35 x 1mm Automobilstandard = AEC-Q101mW Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Diodenkonfiguration: | SeriemA | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Sperrspannung max.: | 100V | Gehäusegröße: | SC-70 | Pinanzahl: | 3 | Diodenkapazität max.: | 1.5pF | Betriebstemperatur min.: | –65 °C | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Länge: | 2.2mm | Breite: | 1.35mm | Höhe: | 1mm | Abmessungen: | 2.2 x 1.35 x 1mm | Automobilstandard: | AEC-Q101mW |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 1844173, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schaltdioden, onsemi, BAV99RWT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Switching Diodes |
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