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| Artikel-Nr.:
822EL-1858102 Herst.-Nr.:
NCV5702DR2G EAN/GTIN:
k.A. |
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| Ausgangsstrom = 6,8 A, 7,8 A
Versorgungsspannung = 5V
Pinanzahl = 16
Gehäusegröße = SOICns
Anzahl der Ausgänge = 1
Anstiegszeit = 9.2ns
Topologie = Gate-Treiber
Ein-/Ausgangsabhängigkeit = Independent
Anzahl der Treiber = 1ns
Brücken-Typ = Halbbrücke
Montage-Typ = SMD
Automobilstandard = AEC-Q100
Starkstromausgang (+4,0/-6,0 A) bei IGBT-Miller-Plateau-Spannungen Niedrige VOH und VOL Aktive Miller-Klemme DESAT-Schutz mit programmierbarer Verzögerung Geringere Schaltverluste und kurze Schaltzeiten Vollständige Erweiterung von IGBT Verhindert falsches Gate-Einschalten Verbesserter programmierbarer Schutz Anwendungen Endprodukte DC/AC-Wechselrichter Akkuladegerät Automobil-PTC-Heizgerät Integrierte Ladegeräte Xev-Ladegeräte KFZ-Wechselrichter Wechselrichter für Traktion Weitere Informationen: | | Ausgangsstrom: | 6,8 A, 7,8 A | Versorgungsspannung: | 5V | Pinanzahl: | 16 | Gehäusegröße: | SOICns | Anzahl der Ausgänge: | 1 | Anstiegszeit: | 9.2ns | Topologie: | Gate-Treiber | Ein-/Ausgangsabhängigkeit: | Independent | Anzahl der Treiber: | 1ns | Brücken-Typ: | Halbbrücke | Montage-Typ: | SMD | Automobilstandard: | AEC-Q100 |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, Analoge Treiber ICs, Leistungs-Treiber, Treiber-IC, on semiconductor igbt, igbt, 1858102, Halbleiter, Stromversorgung, Gate-Treiber, onsemi, NCV5702DR2G, Semiconductors, Power Management ICs, Gate Drivers |
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